E120GN 312, E120GN, RQ3E120GN, RQ3E120GNTB - Микросхем
![SMBJ58CA, Защитный диод двунаправленный 600Вт 58B [ DO-214AA.]](https://onzip.ru/image/cache/catalog/FOTO_ZIP/SMBJ13CA,%20SMB.DO-214AA-170x170.jpg "SMBJ58CA, Защитный диод двунаправленный 600Вт 58B [ DO-214AA.]")
E120GN 312, E120GN, RQ3E120GN, RQ3E120GNTB - Микросхем
Наименование прибора: RQ3E120GN
Маркировка: E120GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg - Общий заряд затвора: 10 nC
tr - Время нарастания: 4.5 ns
Coss - Выходная емкость: 160 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: HSMT8
Оплата строго по безналичному расчету. Получение товара при наличие доверенности или печати организации.
Важно: перед оплатой, уточняйте сроки поставки и фактическое наличие товара на складе.
Вся представленная на сайте информация, касающаяся технических характеристик, наличия, фотоизображения и стоимости, носит информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437(2) Гражданского кодекса РФ. Цвет продукции, изображение, представленной на сайте может отличаться от реального, в связи с различными настройками ваших устройств для просмотра. Нажатие на кнопки «заказать» или «отправить» или «купить», а также последующее или предварительное заполнение тех или иных форм, не накладывает на владельцев сайта никаких обязательств.
Тэги: E120GN 312, E120GN, RQ3E120GN, RQ3E120GNTB
